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水平氧化擴散爐
主要用途:半導體制造中的熱氧化、摻雜擴散、退火等,適用于4~8英寸晶圓或多片晶圓的批量處理
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應用場景:
集成電路制造 | CMOS柵極氧化、存儲器芯片介質層生長、DRAM電容介質形成 |
功率半導體制造 | IGBT器件的場氧生長、MOSFET柵極氧化層制備、功率二極管PN結形成 |
先進封裝 | TSV硅通孔氧化絕緣層制備、晶圓級封裝的介質層生長 |
新型半導體材料 | SiC器件柵氧生長、GaN器件表面鈍化、三代半導體材料摻雜工藝 |
MEMS制造 | MEMS結構層的熱氧化、傳感器介質層制備、微機械結構的摻雜工藝 |