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水平氧化擴散爐

主要用途:半導體制造中的熱氧化、摻雜擴散、退火等,適用于4~8英寸晶圓或多片晶圓的批量處理

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應用場景:

集成電路制造

CMOS柵極氧化存儲器芯片介質層生長DRAM電容介質形成

功率半導體制造

IGBT器件的場氧生長MOSFET柵極氧化層制備功率二極管PN結形成

先進封裝

TSV硅通孔氧化絕緣層制備晶圓級封裝的介質層生長

新型半導體材料

SiC器件柵氧生長GaN器件表面鈍化三代半導體材料摻雜工藝

MEMS制造

MEMS結構層的熱氧化傳感器介質層制備微機械結構的摻雜工藝

水平氧化擴散爐 (1).jpg水平氧化擴散爐 (2).jpg

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