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垂直氧化擴散爐
主要(yao)用途：半導體(ti)制(zhi)造(zao)中的熱氧化(hua)、摻雜擴(kuo)散、退火(huo)等(deng)，適用于6～12英寸晶圓或多片晶圓的批量處理(li)
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應用場景：
集(ji)成電路制造 | CMOS柵(zha)極氧化、存儲器芯(xin)片介質層生長、DRAM電容(rong)介質形成(cheng) |
功率(lv)半導(dao)體制造 | IGBT器件的場(chang)氧(yang)生長(chang)、MOSFET柵極(ji)氧(yang)化(hua)層制備、功率二極管PN結形成 |
先進(jin)封裝 | TSV硅(gui)通孔氧化絕緣層制備、晶圓級封(feng)裝的介質層生(sheng)長 |
新(xin)型半導(dao)體(ti)材料 | SiC器件(jian)柵氧(yang)生(sheng)長、GaN器件(jian)表面鈍化(hua)、三(san)代半(ban)導體(ti)材料摻雜工(gong)藝(yi) |
MEMS制造(zao) | MEMS結(jie)構層的熱氧化、傳(chuan)感(gan)器介質層制備、微(wei)機(ji)械結構的摻(chan)雜(za)工藝 |
