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垂直LPCVD設備

主要用途:低壓環境通過化學反應沉積Poly、SIN、SIO2等薄膜,適用6~12英寸晶圓介質層、鈍化層和結構層沉積

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應用場景:

集成電路制造

多晶硅柵極沉積氮化硅鈍化層沉積二氧化硅介質層沉積

功率半導體制造

SiC器件的鈍化層沉積GaN器件的介質層制備

先進封裝

TSV(硅通孔)絕緣層沉積晶圓級封裝的介質層生長

MEMS制造

MEMS結構層的薄膜沉積傳感器的保護層制備

新型材料研發

二維材料(如石墨烯碳納米管)的薄膜沉積第三代半導體的鈍化層制備

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