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垂直LPCVD設備
主要用途:低壓環境通過化學反應沉積Poly、SIN、SIO2等薄膜,適用6~12英寸晶圓介質層、鈍化層和結構層沉積
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應用場景:
集成電路制造 | 多晶硅柵極沉積、氮化硅鈍化層沉積、二氧化硅介質層沉積 |
功率半導體制造 | SiC器件的鈍化層沉積、GaN器件的介質層制備 |
先進封裝 | TSV(硅通孔)絕緣層沉積、晶圓級封裝的介質層生長 |
MEMS制造 | MEMS結構層的薄膜沉積、傳感器的保護層制備 |
新型材料研發 | 二維材料(如石墨烯、碳納米管)的薄膜沉積、第三代半導體的鈍化層制備 |