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單晶氧化退火爐
主要用途:單晶硅制造過程中氧化退火,改善晶體質量、消除缺陷、優化電學性能,確保單晶硅高純度及均勻性
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應用場景:
直拉單晶(CZ法)制造 | 晶體生長后熱處理、氧沉淀控制、摻雜均勻性優化 |
區熔單晶(FZ法)制造 | 缺陷修復、氧含量調節、表面鈍化 |
大尺寸單晶硅片加工 | 晶圓預處理、表面氧化層生長 |
高質量單晶研發 | 新型單晶材料的氧化退火工藝研究;大尺寸單晶硅的性能優化與缺陷控制 |
樣片檢測 | 硅單晶片缺陷檢測 |